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核心提示：
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日立制作所在“nano tech 2009（國(guó)際納米技術(shù)綜合展）”（2月18～20日）上展出了芯片尺寸為1.9mm見(jiàn)方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見(jiàn)方的試制品相比，體積大幅縮小。該公司正在探討利用150mm晶圓生產(chǎn)線的量產(chǎn)事宜。
將尺寸由3.4mm見(jiàn)方縮小到1.9mm見(jiàn)方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來(lái)的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器，但由于要優(yōu)先確立核心技術(shù)，因此為了不在LSI的正上方層疊壓力傳感器，只好沿水平方向錯(cuò)位形成。另一點(diǎn)是此次削減了壓力傳感器部分留有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。
另外，日立此次還介紹了可通過(guò)改變隔膜（承受壓力后彎曲的薄膜部）尺寸，改變檢測(cè)壓力靈敏度的技術(shù)。利用該技術(shù)，可使集成型壓力傳感器的設(shè)計(jì)及制造工藝實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化，還可將達(dá)到通用水平的集成型壓力傳感器應(yīng)用于多種用途。
將尺寸由3.4mm見(jiàn)方縮小到1.9mm見(jiàn)方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來(lái)的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器，但由于要優(yōu)先確立核心技術(shù)，因此為了不在LSI的正上方層疊壓力傳感器，只好沿水平方向錯(cuò)位形成。另一點(diǎn)是此次削減了壓力傳感器部分留有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。
另外，日立此次還介紹了可通過(guò)改變隔膜（承受壓力后彎曲的薄膜部）尺寸，改變檢測(cè)壓力靈敏度的技術(shù)。利用該技術(shù)，可使集成型壓力傳感器的設(shè)計(jì)及制造工藝實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化，還可將達(dá)到通用水平的集成型壓力傳感器應(yīng)用于多種用途。
