光伏銻化銦探測(cè)器的電壓響應(yīng)率：RV=VSe（1），探測(cè)率：D*=RVnAdf（2），式中e：入射輻射功率；f：帶寬；Ad：光敏面面積。

對(duì)零偏工作的探測(cè)器，在交流小信號(hào)情況下，信號(hào)電壓：VS=Z0IS（3），其中，信號(hào)電流取決于入射輻射功率、探測(cè)器芯片的量子效率、窗口及濾光片的透過光譜范圍及透過率等，零偏阻抗Z0由器件零偏電阻R0與探測(cè)器容抗1/iC0并聯(lián)得到：1Z0=1R0+iC0（4），1R0=qIsakT+GS（5），C0=Cdo+Cl（6），式中Isa為PN結(jié)反向飽和電流，q為電子電量；為空間電荷區(qū)復(fù)合因子，絕緣梯子k為玻爾茲曼常數(shù)，T為器件的熱力學(xué)溫度，GS為器件的表面漏導(dǎo)，Cd0為PN結(jié)電容，Cl為器件電極及引線的分散電容。

噪聲電壓Vn=Z0In+Vns（7）式中，Vns為來自于環(huán)境及系統(tǒng)的噪聲，In為探測(cè)器自身的噪聲電流，在不考慮1/f噪聲的條件下，I-n2=2q（qbAd+2kTqRd0）f（8），式中，：量子效率；b：背景入射輻射功率。信噪比：VSVn=Z0IsZ0In+Vns=IsIn+VnsZ0（9）。

可見，要提高探測(cè)器的電壓響應(yīng)率和探測(cè)率需提高探測(cè)器的信號(hào)電壓和信噪比。在器件工藝較成熟的情況下，器件的量子效率、濾光片的透過率已基本達(dá)到工藝極限，而器件的阻抗還有較多進(jìn)一步提高的余地，提高信號(hào)電壓主要從提高探測(cè)器阻抗入手。

對(duì)于理想的探測(cè)器，即達(dá)到背景限的探測(cè)器，Rd0足夠大，如果不考慮系統(tǒng)噪聲與環(huán)境影響，信噪比將達(dá)到極限。但實(shí)際工程應(yīng)用及測(cè)量中的探測(cè)器的信噪比仍可通過減小Vns/Z0而提高。即提高信號(hào)與信噪比都?xì)w結(jié)為提高器件阻抗Z0。由上述（4）（6）式，1Z0=qIsakT+GS+i（Cd0+Cl）（10），提高阻抗Z0意味著提高零偏暗阻（通過減小Isa）、減小漏導(dǎo)Gs、減小器件結(jié)電容Cdo和分散電容Cl。