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我國LED硅襯底技術取得突破性進展

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數:81
核心提示:

在LED行業(yè)中,我國自主創(chuàng)新的硅襯底LED技術被譽為繼碳化硅(SiC)LED技術、藍寶石襯底LED技術之外的第三條技術路線,其打破了日本和歐美LED廠商形成的牢固的專*壁壘,擁有完全自主知識產權,可以自由走向國外。

難!這是所有了解LED技術的人對在硅襯底上生長LED材料的第一反應。難在哪兒?在2004年以前,30多年的研究并沒有解決硅襯底和氮化鎵材料的熱失配和晶格失配的難題,人們無法得到高質量的氮化鎵發(fā)光薄膜。

好!硅襯底LED技術路線是LED業(yè)界幾十年夢寐以求的技術路線。好在哪兒?如果能突破硅襯底LED技術難題,實現大尺寸大規(guī)模生產,可以大幅降低成本,加速LED照明時代的到來!

硅襯底LED技術路線是LED業(yè)界夢寐以求的技術路線,但由于技術難度大,因而大都停留在研究室的試水階段。篳路藍縷、以啟山林—直到2004年,在南昌大學的一間簡陋的實驗室里,硅襯底LED藍光芯片率先破繭而出,硅襯底LED技術實現了顛覆性的突破,在世界LED歷史上具有劃時代的里程碑意義。

如今,十年過去,LED硅襯底技術作別了只存在于實驗室的歷史。在金沙江創(chuàng)投等一批風險投資的傾力支持下,業(yè)已發(fā)展為擁有晶能光電、中節(jié)能晶和照明等10家公司的全產業(yè)鏈產業(yè)集群,產業(yè)鏈的銷售額2013年達到10億人民幣,2014年將有望達到25億元。

技術有特點,決定細分市場的領先地位

硅襯底LED芯片是垂直結構,電流擴散均勻,單位面積可承載的電流密度大,加之硅襯底的散熱效果遠好于藍寶石襯底,可靠性好,適合制造大功率LED產品,可廣泛應用于可靠性要求高的路燈、隧道燈、投光燈等戶外照明領域。

其芯片是單電極,芯片尺寸可以做到很小,因為少打一根電極線,在數碼產品、高密度戶內顯示屏等領域具有可靠性高的明顯優(yōu)勢,眾多德國品牌汽車的儀表盤都是使用硅襯底LED芯片做背光。

硅襯底LED芯片是倒裝剝離芯片,單面發(fā)光,因而產品具有出光方向容易管控的特點,在汽車大燈、探照燈、自行車燈等領域具有明顯優(yōu)勢。

其單面發(fā)光的特點決定了其出光均勻、質量好,因而在對光的質量要求高的產品,例如手機閃光燈、監(jiān)控設施的補光燈、用于畫廊、珠寶店、蔬菜店等場所的高檔射燈等,用硅襯底LED芯片是最好的選擇。

在以上這些領域,市場容量每年至少有200億美元,并且逐步增長,硅襯底LED產品在此類細分市場都有較強的競爭優(yōu)勢。

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