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核心提示：自進入2015年，發(fā)達國家為了解決就業(yè)等問題提出的再工業(yè)化戰(zhàn)略，以及印度和東南亞等國家提供的更為低廉的經(jīng)營成本等優(yōu)勢，都促
自進入2015年，發(fā)達國家為了解決就業(yè)等問題提出的再工業(yè)化戰(zhàn)略，以及印度和東南亞等國家提供的更為低廉的經(jīng)營成本等優(yōu)勢，都促使外企將中國市場上的生產(chǎn)線遷出。
據(jù)美國國會研究服務(wù)機構(gòu)統(tǒng)計，從2000年到2013年，中國工資平均每年增長11.4%。本世紀(jì)初，中國工人的工資只有墨西哥工人的30.2%，而2013年，中國工人的月工資已經(jīng)比墨西哥工人高出50.5%，比越南工人高出168%。
一位裝備制造業(yè)分析人士向記者補充道，本土企業(yè)在低端制造業(yè)上開始走向成熟，他們對低利潤率比外企有更高的容忍度，這也是外資加速撤離低端制造的一個重要原因。
機械工業(yè)信息研究院戰(zhàn)略與規(guī)劃研究所的研究人員石勇向記者稱，中國的民營企業(yè)在制造業(yè)的諸多領(lǐng)域的發(fā)展確實給外企形成一些壓力，我們能夠提供比他們價格低得多的產(chǎn)品，但是質(zhì)量遠跟不上。
另外還有很多領(lǐng)域是本土企業(yè)無法做到的，石勇隨便舉了一個案例，“奧迪汽車安全帶上的扣，雖然是十分小的一個部件，但是這個本土企業(yè)就是無法生產(chǎn)。”
不過王志樂也對記者表示，那些在華市場有巨大需求的生產(chǎn)企業(yè)其實并沒有外逃的跡象，“我同那些企業(yè)聊過，他們也并沒有撤走的打算”。
中國作為世界最龐大的消費市場，外資企業(yè)自然不會徹底撤離和放棄。那么從低端制造領(lǐng)域退出后，接下來，他們又在下一盤怎樣的棋？可以這樣說，成本導(dǎo)向的低端制造業(yè)開始轉(zhuǎn)移至成本更低的區(qū)域，而高端領(lǐng)域正迎來越來越多的外資布局，王志樂認(rèn)為這是制造業(yè)在全球范圍內(nèi)調(diào)整。
查詢近年來的數(shù)據(jù)可發(fā)現(xiàn)，F(xiàn)DI月度規(guī)�；痉�(wěn)定在100億~150億美元，但結(jié)構(gòu)在發(fā)生變化，高端制造業(yè)和金融服務(wù)業(yè)吸收外資金額逐年加大，尤其是交通運輸設(shè)備行業(yè)和通信計算機行業(yè)吸收外資步伐明顯加快。
這種“全球范圍內(nèi)的制造業(yè)調(diào)整”微觀上也體現(xiàn)在外資企業(yè)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型上。樓氏電子是世界聲學(xué)設(shè)備制造巨頭，于1996年開始進駐中國在蘇州建立第一家工廠，該公司早在2013年底就稱，公司正在進行內(nèi)部結(jié)構(gòu)調(diào)整，勞動力密集型的助聽器生產(chǎn)線將轉(zhuǎn)移至菲律賓，一條先進的陶瓷電容器生產(chǎn)線將從英國轉(zhuǎn)移過來，并且加大在中國市場的研發(fā)投資。
樓氏電子中國區(qū)副總裁陸文杰表示，目前的中國工人將在培訓(xùn)后從事技術(shù)含量更高的工作，他們正在加大對中國的投資，樓氏電子的一部分研發(fā)工作已經(jīng)開始布局在蘇州了，樓氏電子蘇州有限公司研發(fā)部高級經(jīng)理蒯軍說，中國的工程師有成本優(yōu)勢，對公司來說性價比更高。
而在醫(yī)藥行業(yè)，幾乎所有的外資醫(yī)藥巨頭在過去幾年中都增加了在中國市場的研發(fā)投入，大手筆投入在中國設(shè)立研發(fā)中心。外資醫(yī)藥企業(yè)在中國的聯(lián)盟機構(gòu)RDPAC日前提供給記者的一份制作于2012年的調(diào)查報告顯示，在過去的10年間，RAPDC的成員在中國的研發(fā)中心從7個增加到30個，直接創(chuàng)造了約3000個高端研發(fā)崗位。
該報告稱，RDPAC成員在中國的研發(fā)創(chuàng)新投入正在大幅度提高，目前總投入水平已達到每年80億元，這個數(shù)據(jù)超過中國所有大中型醫(yī)藥企業(yè)一年研發(fā)支出總投入的一半，并且是中國政府為本土骨干企業(yè)制定的研發(fā)投入目標(biāo)的2倍。
而韓國三星集團在給記者的郵件回復(fù)中稱，其在中國市場的戰(zhàn)略正是擴大對尖端技術(shù)裝備產(chǎn)業(yè)的投資，加強研發(fā)，向中西部、東北部、中小城市擴大業(yè)務(wù)。三星在陜西西安投資70億美元建立的半導(dǎo)體工廠已于去年5月投產(chǎn)，該工廠將生產(chǎn)世界上最新型的10納米級閃存芯片。
