在賽靈思的協(xié)力合作下，臺(tái)積電年底可開始進(jìn)行16納米試產(chǎn)，成功將20納米微縮至16納米的時(shí)間提前一年，2015年就會(huì)如期進(jìn)入16納米FinFET量產(chǎn)。如此緊迫的腳步勢(shì)必會(huì)對(duì)代工業(yè)界產(chǎn)生極大推動(dòng)。

　　臺(tái)積電8月13日通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺(tái)積電全年資本支出上限100億美元的68%，表明臺(tái)積電加速先進(jìn)制程腳步的決心。

　　臺(tái)積電將今年資本支出上修至95至100億美元（約新臺(tái)幣2990億），只少許落后英特爾的110億美元，是臺(tái)灣投資計(jì)劃最大的電子大廠。臺(tái)積電加緊20納米及16納米先進(jìn)制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時(shí)程，添購(gòu)所需設(shè)備，推估今年臺(tái)積電全年資本支出，絕對(duì)會(huì)在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。

　　10月3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局；臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出，14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)額已在2012年占臺(tái)積電營(yíng)業(yè)額達(dá)到36%。而南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比42%。臺(tái)積電14廠P1至P4是4個(gè)足球場(chǎng)大面積；而外界關(guān)注未來臺(tái)積電20/16nm產(chǎn)出后，14廠的營(yíng)收貢獻(xiàn)比重。

　　臺(tái)積電發(fā)言人孫又文回應(yīng)提問表示，臺(tái)積電16nm是20nm制程的延伸，20nm明年第一季量產(chǎn)，而16nm今年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而隨著超超大晶圓14廠P5/6、15廠等加入后，未來貢獻(xiàn)比重仍將仍將升高。

　　據(jù)了解，由于臺(tái)積電P5至P6產(chǎn)能規(guī)劃“只做20/16nm”，三星與英特爾、格羅方德、設(shè)備商等各界關(guān)注，因此臺(tái)積電尚屬商業(yè)機(jī)密而處于保密中尚無可說明細(xì)節(jié)。臺(tái)積電超大晶圓14廠P5所規(guī)劃辦公室可容納3000位員工，目標(biāo)在明年到位，同時(shí)P6工程在建，平常約有萬名工作員建廠協(xié)助。

　　臺(tái)積電不斷強(qiáng)調(diào)“大聯(lián)盟”(Grand Alliance)的服務(wù)模式和不斷投入大量資金用于先進(jìn)的制程無疑對(duì)半導(dǎo)體代工產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀帶來更多生機(jī)，不斷的投入使得其與英特爾的技術(shù)差距縮短到一年以內(nèi)，這將使得以后的晶圓代工業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。