2012年6月7日，應用材料公司宣布推出半導體業(yè)界最先進的單硅片大電流離子注入系統(tǒng)，即全新的Applied Varian VIISta® Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能，新型VIISta Trident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確保成品率，在20納米技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)高性能低功耗邏輯芯片制造的離子注入系統(tǒng)。

　　在20納米技術(shù)節(jié)點，優(yōu)化摻雜物激活和減少擴展、源/漏結(jié)及接觸區(qū)域的缺陷，成為阻礙高性能晶體管微縮化的重大挑戰(zhàn)。VIISta Trident系統(tǒng)具有準確調(diào)整摻雜物濃度和深度分布的獨特能力，對于先進器件的優(yōu)化性能、控制漏電流和降低可變性至關(guān)重要。

　　應用材料公司副總裁兼維利安產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Bob Halliday表示：“制造一枚常規(guī)先進邏輯芯片需要多達60個離子注入步驟，包括共同離子注入和精密材料改性應用，其中很多步驟對器件的性能至關(guān)重要。我們VIISta Trident技術(shù)的精準度是幫助客戶實現(xiàn)尖端芯片設(shè)計可盈利成品率的關(guān)鍵。這一標桿性性能鞏固了應用材料公司在為客戶提供最先進晶體管制造解決方案方面的領(lǐng)導地位。如今，所有制造20納米芯片的主要代工廠都在將我們的VIISta Trident系統(tǒng)作為首選設(shè)備使用。”

　　Trident系統(tǒng)性能優(yōu)越的關(guān)鍵在于其具有專*的雙磁體帶狀光束架構(gòu)，實現(xiàn)了增強型低能量性能。該系統(tǒng)的能量純度模塊幾乎消除了會“玷污”關(guān)鍵晶體管通道并導致漏電流增加、性能降低的有害高能量成分。

　　相匹配的低溫技術(shù)可實現(xiàn)低至零下100°C的制造注入，提供晶體管間性能一致的卓越工藝控制。這對于制造在位緩沖存儲器中的嵌入式SRAM單元尤其重要，在此，構(gòu)成每個單元的6個或8個晶體管必須精確一致，才能在低工作電壓下實現(xiàn)移動計算所需的可靠切換。