原廠編號(hào)：IPP048N12N3G
品牌：Infineon
封裝尺寸：TO220-3
速度：-
電壓：120V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500pcs/管裝
| 數(shù)據(jù)列表 |
IPP048N12N3 G |
| 產(chǎn)品相片 |
TO-220-3 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝  |
500 |
| 類別 |
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 |
FET - 單 |
| 系列 |
OptiMOS™ |
| 包裝 |
管件 |
| FET 類型 |
MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 |
標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) |
120V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） |
100A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（*大值） |
4.8 毫歐 @ 100A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（*大值） |
4V @ 230µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) |
182nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) |
12000pF @ 60V |
| 功率 - *大值 |
300W |
| 安裝類型 |
通孔 |
| 封裝/外殼 |
TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 |
PG-TO220-3
|
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